【中玻網(wǎng)】效率提升和降低成本是光伏產(chǎn)業(yè)不斷追求的兩大目標(biāo)。隨著金剛線在單晶切片的大規(guī)模應(yīng)用，單晶的成本競爭力近年來逐步提升，應(yīng)用金剛線切割多晶硅片已大勢所趨。然而，金剛線切多晶硅片后，硅片表面損傷層減少，不利于使用傳統(tǒng)酸腐蝕方案對硅片進(jìn)行絨面制備，因此需解決多晶金剛線切割硅片的絨面制絨問題。

　　黑硅技術(shù)是目前解決該問題的主要路徑，其技術(shù)方案解決了金剛線切多晶硅片的反射率過高問題，由于表面反射率的降低，硅片光吸收能力提升，還能附帶一定電池效率的提升。這種降本增效的方案也被大多數(shù)多晶電池的制造廠商認(rèn)可。目前，黑硅技術(shù)的成熟技術(shù)路線主要有干法（RIE）、濕法(MACE)和添加劑直接制絨三種，但是此三種方案各有優(yōu)缺點，具體的選擇還需要市場進(jìn)一步的驗證。

　　2016年以來，各大硅片及電池片廠商開始投入黑硅產(chǎn)業(yè)化技術(shù)研究，并取得了巨大進(jìn)展。日前，協(xié)鑫集成宣布，其干法黑硅多晶電池平均量產(chǎn)效率已超過20.3％，較效率高率達(dá)到20.8％；濕法黑硅多晶電池也已于今年2月開始量產(chǎn)，平均效率也已超過20％，較效率高率達(dá)到20.5％。在黑硅技術(shù)產(chǎn)業(yè)化路線選擇上，協(xié)鑫集成執(zhí)行多頭并進(jìn)的電池及組件產(chǎn)品路線。

　　據(jù)協(xié)鑫集成太陽能制造事業(yè)部電池研發(fā)高等總監(jiān)張淳博士介紹，2017年協(xié)鑫將朝著黑硅多晶電池量產(chǎn)平均效率打破20.5％、較效率高率20.8％-21％的更高目標(biāo)挺進(jìn)，不斷打破、挑戰(zhàn)較限。據(jù)悉，協(xié)鑫集成效率高黑硅多晶電池設(shè)計產(chǎn)能2GW，2017年將有1.2GW黑硅電池一體投產(chǎn)。

　　由賀利氏光伏黃金贊助的第二屆金剛線切割與黑硅技術(shù)論壇將于2017年9月18-19日在無錫召開。來自協(xié)鑫集成科技股份有限公司的電池技術(shù)總監(jiān)盛健先生將做大會報告，介紹黑硅多晶電池的產(chǎn)業(yè)化之路。